簡(jiǎn)要描述:SIC碳化硅器件參數(shù)測(cè)試儀HUSTEC-3000功能及主要參數(shù): 適用碳化硅二極管、IGBT模塊MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)測(cè)試。
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SIC碳化硅器件參數(shù)測(cè)試儀HUSTEC-3000
品牌: 華科智源
名稱: SIC動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀
型號(hào): HUSTEC-3000
用途: SIC器件,MOS管, IGBT測(cè)試
功能及主要參數(shù):
適用碳化硅二極管、IGBT模塊\MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)測(cè)試。
主要技術(shù)參數(shù):
IGBT開(kāi)關(guān)特性測(cè)試
開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試條件
Ic:50A~1000A Vce:200V~2000V
Vgs:-10V~+20V Rg:1R~100R可調(diào)(可選擇4檔及外接)
負(fù) 載:感性負(fù)載阻性負(fù)載可切換
電感范圍:100uH,200uH,500uH,1000uH
電阻范圍:0.5R、1R、2R、4R
SIC碳化硅器件參數(shù)測(cè)試儀HUSTEC-3000參數(shù)
開(kāi)通延遲td(on): 20nS -10uS
上升時(shí)間tr: 20nS -10uS
開(kāi)通能量Eon: 0.1-1000mJ
關(guān)斷延遲時(shí)間td(off):20 nS -10uS
下降時(shí)間 tf: 20nS -10uS
關(guān)斷能量Eoff:0.1-1000mJ
二極管反向恢復(fù)特性測(cè)試
FRD測(cè)試條件:正向電流IF:50A~1000A;反向電壓 Vr:200V~2000V;-di/dt:100A/us~10000A/us ;負(fù)載:感性負(fù)載可選
電感范圍:100uH,200uH,500uH,1000uH
FRD測(cè)試參數(shù)
反向恢復(fù)時(shí)間trr:20nS -2uS
反向恢復(fù)電荷Qc:10nC~10uC;
反向恢復(fù)電流Irm:50A~1000A
反向恢復(fù)損耗Erec:0.1mJ~1000mJ
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
國(guó)內(nèi)能對(duì)二極管、IGBT模塊、MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)實(shí)施測(cè)試的設(shè)備。
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