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SIC碳化硅器件參數(shù)測(cè)試儀HUSTEC-3000

簡(jiǎn)要描述:SIC碳化硅器件參數(shù)測(cè)試儀HUSTEC-3000功能及主要參數(shù):
  適用碳化硅二極管、IGBT模塊MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)測(cè)試。

  • 產(chǎn)品型號(hào):
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時(shí)間:2024-01-29
  • 訪  問(wèn)  量:742

詳細(xì)介紹

品牌其他品牌應(yīng)用領(lǐng)域能源,電子,汽車(chē),電氣

SIC碳化硅器件參數(shù)測(cè)試儀HUSTEC-3000

  • 品牌: 華科智源

  • 名稱: SIC動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

  • 型號(hào): HUSTEC-3000

  • 用途: SIC器件,MOS管, IGBT測(cè)試

功能及主要參數(shù):
  適用碳化硅二極管、IGBT模塊\MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)測(cè)試。
  主要技術(shù)參數(shù):
  IGBT開(kāi)關(guān)特性測(cè)試
  開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試條件
  Ic:50A~1000A     Vce:200V~2000V
  Vgs:-10V~+20V  Rg:1R~100R可調(diào)(可選擇4檔及外接)
  負(fù)  載:感性負(fù)載阻性負(fù)載可切換
  電感范圍:100uH,200uH,500uH,1000uH
  電阻范圍:0.5R、1R、2R、4R
  

QQ截圖20230427144852.png


SIC碳化硅器件參數(shù)測(cè)試儀HUSTEC-3000參數(shù)
  開(kāi)通延遲td(on): 20nS -10uS     
  上升時(shí)間tr:    20nS -10uS
  開(kāi)通能量Eon:  0.1-1000mJ                
  關(guān)斷延遲時(shí)間td(off):20 nS -10uS  
  下降時(shí)間 tf: 20nS -10uS                   
  關(guān)斷能量Eoff:0.1-1000mJ
  二極管反向恢復(fù)特性測(cè)試
  FRD測(cè)試條件:正向電流IF:50A~1000A;反向電壓 Vr:200V~2000V;-di/dt:100A/us~10000A/us ;負(fù)載:感性負(fù)載可選
  電感范圍:100uH,200uH,500uH,1000uH
  FRD測(cè)試參數(shù)
  反向恢復(fù)時(shí)間trr:20nS -2uS
  反向恢復(fù)電荷Qc:10nC~10uC;
  反向恢復(fù)電流Irm:50A~1000A
  反向恢復(fù)損耗Erec:0.1mJ~1000mJ
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
  國(guó)內(nèi)能對(duì)二極管、IGBT模塊、MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)實(shí)施測(cè)試的設(shè)備。

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